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LCCP-6A型全自动刻蚀机

系统简介

鲁汶仪器生产的LCCP-6A型全自动RIE刻蚀机是一台实验室常备通用刻蚀机。

可通F基气体刻蚀Si、SiO2、SiN、Poly-Si、Ge、W、Mo、Ta、石英等。还可通氧气去除光刻胶和刻蚀有机膜。

刻蚀工艺全自动,软件中包括刻蚀材料的推荐工艺菜单,操作简单,重复性好,经久耐用。

刻蚀线宽最小可达200nm。

刻蚀速率随材料的不同而异,一般为100~500nm/min。


器性能

1、刻蚀速率:100~500nm/min(由被刻蚀材料而定)。

2、刻蚀均匀性:≤±5%(6"片)。


标准机型主要配置

1、阳极氧化铝腔室;

2、分子泵、机械泵高真空机组;

3、射频电源带自动匹配器;

4、数字真空计和压力开关;

5、气路系统、数字流量计标配5套,可定制增减;

6、调压阀、高阀、低阀;

7、带触摸屏集成工控计算机,有严格的检漏、互锁、报警安全措施

8、具有He背冷和水冷系统,可冷却待加工基片。


案例分析

1. SiO2均匀性(图1)

工艺条件:样品尺寸 6英寸,CF4等刻蚀气体

刻蚀时间35秒、70秒、120秒,通过薄膜纳米孔径分析仪和台阶仪分析均匀性分别为±2.4%、±2.6%和±1.7%。该参数优于市场上大部分产品(业内通常为±5%)。

2. Si3N4均匀性(图2)

工艺条件:样品尺寸 4英寸,CF4等刻蚀气体

刻蚀时间40秒、70秒、140秒、280秒,通过薄膜纳米孔径分析仪和台阶仪分析均匀性分别为±2.1%、±2.3%和±1.3%和±2.0%。该参数优于市场上大部分产品(业内通常为±5%)。

3. 4寸Si均匀性(图3)

工艺条件:CF4等刻蚀气体

硅片测试时间为500秒和625秒,测试均匀性分别为±2.85%和±1.12%。该参数优于市场上大部分产品(业内通常为±5%)。

4. 6寸Si均匀性(图4)

工艺条件:CF4等刻蚀气体

硅片测试时间为300秒,测试均匀性分别为±2.99%。该参数优于市场上大部分产品(业内通常为±5%)。



1. SiN刻蚀陡直度(图5图6)

工艺条件:CHF3CF4等刻蚀气体

刻蚀线条非常陡直。

2. SiO2刻蚀陡直度 (图7 图8)

工艺条件:CHF3CF4等刻蚀气体

刻蚀线条非常陡直。