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用于集成电路刻蚀薄膜的设备

2016-08-30 15:28:47 click: 568

产品系列

晶圆尺寸

产品描述

LCCP-6A

≤ 6

全自动反应离子刻蚀机(CCP),可刻蚀氮化硅、氧化硅、硅等

LICP-200F

≤ 8

感应耦合等离子体( ICP)刻蚀机,可用氟基气体,刻蚀氮化硅、氧化硅、硅、锗、硅基化合物材料及WMoTa等部分金属

LICP-200Cl

≤ 8

感应耦合等离子( ICP)体刻蚀机,可用氯基、氟基气体,刻蚀蓝宝石、氮化镓、砷化镓、硅、氮化硅、氧化硅等材料以及各种金属

LICP-200D

≤ 8

硅刻蚀机(ICP),可通过刻蚀获得陡直的深槽,比如TSV刻蚀

LIBE-200

≤ 8

离子束刻蚀机,可刻蚀各种特殊金属材料