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LVHF-200型氟化氢气相腐蚀机

设备介绍

1. 无粘连腐蚀氧化硅

化学反应基于气相腐蚀,副产物以挥发的方式离开晶圆,避免了液体干燥时的毛细管力, 所以不会有粘连等常见问题。

2. 对各种金属的高选择比

对钛、氮化钛、铝等金属有很高的选择比,基本不被腐蚀。

3. 对氮化硅的高选择比

工艺可调节,腐蚀氧化硅,而且对氮化硅有很高的选择比。

4. 兼容4”/6”/8”晶圆或者部分晶圆

定制的样品承片台可以处理不同尺寸的晶圆整片或者部分晶圆碎片。

5. 廉价的氟化氢源

本机台无需使用无水氟化氢气体,所以大大减少使用成本。

 

机台构造

 

l工艺腔:处理晶圆/碎片的场所;

l泵:用来及时抽走反应副产物和维持腔体的低压强;

l氟化氢源:氟化氢蒸汽是通过氮气鼓入氢氟酸溶液带出;

 

对各种材料的腐蚀速率(纳米/分钟)



l气相氟化氢:氮气以1/分钟从浓氢氟酸鼓出到腔体,腔体温度为35℃;

l稀氢氟酸:浓氢氟酸与去离子水一比一混合液;

l缓冲氢氟酸腐蚀液/丙三醇(2:1):氟化氨和氢氟酸以体积比(7/1)预混合液2份与丙三醇1份,按体积比再混的液;

lPSG(退火):phosphosilicate glass,含磷(4wt%氧化硅,化学气相沉积方式550生长,在75030分钟退火;

lTEOStetraethoxysilane,化学气相沉积方式670生长的氧化硅;

lTEOS(退火):生长方式如上,之后在90030分钟退火;

l热氧化硅:975℃湿氧化方式生长的氧化硅;

lPECVD SiN等离子增强化学气相沉积方式400℃生长的氮化硅;

lLPCVD SiN低压化学气相沉积方式770℃生长的氮化硅;

lPVD AlCu溅射方式生长的铝铜(含0.5wt%的铜);

lPVD Ti溅射方式生长的钛;

lPVD TiN溅射方式生长的氮化钛;


气相氟化氢释放后效果图