系统简介
溅射(sputtering),是一种物理气相沉积技术,指固体靶"target"(或源"source")中的原子被高能量离子(通常来自等离子体)撞击而离开固体进入气体的物理过程。溅射一般是在充有惰性气体的真空系统中,通过高压电场的作用,使得氩气电离,产生氩离子流,轰击靶阴极,被溅出的靶材料原子或分子沉淀积累在半导体芯片或玻璃、陶瓷上而形成薄膜。溅射的优点是能在较低的温度下制备高熔点材料的薄膜。
LPVD-600溅射台是一台物理气相淀积设备,它可用来淀积金属、非金属和半导体多种材料薄膜,广泛地应用在微电子、光电子、微机械和各种传感器件和集成电路的制造中。
系统优势
l操作者可自已预设定各种不同的工艺条件,操作方便、性能可靠。
l该机可溅射Al、Ti、W、Mo、Ta、Au、Pt等材料薄膜。
l具备安全互锁、急停、报警等安全措施。
技术配置
双层不锈钢腔室;
l旋转的载片台可放置2"~8"的样片或小碎片;
l射频电源;
直流电源;
l三个金属靶座可放置各种不同的材料,可以分层溅射,也可共溅射;
l分子泵、机械泵组成抽气机组;
l本底真空可达5×10-5Pa;
l三路供气(Ar、O2、N2)由数字质量流量计控制流量;
l成膜的均匀性好,优于±5%。
性能
l极限真空度:≦5x10-5Pa;
l均匀性:≦±5%;
l样片尺寸:2"~8"或小碎片;
l工作气压:0.5~2Pa;
l3路进气,3质量流量计;