系统简介

  溅射（sputtering），是一种物理气相沉积技术，指固体靶"target"（或源"source"）中的原子被高能量离子（通常来自等离子体）撞击而离开固体进入气体的物理过程。溅射一般是在充有惰性气体的真空系统中，通过高压电场的作用，使得氩气电离，产生氩离子流，轰击靶阴极，被溅出的靶材料原子或分子沉淀积累在半导体芯片或玻璃、陶瓷上而形成薄膜。溅射的优点是能在较低的温度下制备高熔点材料的薄膜。

  LPVD-600溅射台是一台物理气相淀积设备，它可用来淀积金属、非金属和半导体多种材料薄膜，广泛地应用在微电子、光电子、微机械和各种传感器件和集成电路的制造中。

系统优势

l操作者可自已预设定各种不同的工艺条件，操作方便、性能可靠。

l该机可溅射Al、Ti、W、Mo、Ta、Au、Pt等材料薄膜。

l具备安全互锁、急停、报警等安全措施。

技术配置

双层不锈钢腔室；

l旋转的载片台可放置2"~8"的样片或小碎片；

l射频电源；

直流电源；

l三个金属靶座可放置各种不同的材料，可以分层溅射，也可共溅射；

l分子泵、机械泵组成抽气机组；

l本底真空可达5×10^-5Pa；

l三路供气（Ar、O2、N2）由数字质量流量计控制流量；

l成膜的均匀性好，优于±5%。

性能

l极限真空度：≦5x10^-5Pa；

l均匀性：≦±5%；

l样片尺寸：2"~8"或小碎片；

l工作气压：0.5~2Pa；

l3路进气，3质量流量计；