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LALD-200型原子层淀积设备

系统简介

原子层沉积(英文:Atomic layer deposition)是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积(化学气相沉积)有相似之处。但在原子层沉积过程中,新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的,这种方式使每次反应只沉积一层原子。原子层沉积的主要反应物有两种化学物质,通常被称作前驱物。原子层淀积(ALD)方法通过在工艺过程中向腔室里交替地加入不同的前躯体能够精确控制薄膜层的厚度。与普通CVDPECVD相比,ALD的优势在于它能用来淀积薄至几纳米的薄膜,且具有出色的均匀性和三维结构覆盖性。


系统优势

l基于热和等离子体相结合的薄膜淀积。

l采用上游电感耦合等离子体源引入到样片表面。

l在淀积过程中,采用被激活的气体作为氧化剂,可以生成多种氧化物(例如,Al2O3HfO2ZnOZrO2)。

l该设备最大可淀积8英寸片,也可淀积小片。


技术配置

l单腔室直接放片方式。

l机械泵抽真空。

l载片电极可放2~8英寸的样片,衬底可加热到400,腔壁可加热到150

l射频电源

l两路前驱体气源管路。

l带触摸屏的集成工控一体机(运行Win7软件)严格的检漏、互锁、报警安全措施

l一个配电柜。