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LHQ-6A型PECVD等离子淀积系统

系统简介

l具有一个独特的嵌套式腔室结构。

l放有样片的内腔室的气体压强高于外腔室,使得外腔室的气体不能进入内腔室。

l克服了普通PECVD机经常存在的腔室密封圈微漏大气的问题。

l确保了样片上生长的膜的纯度大大地高于普通PECVD机生长的膜。

l可以获得O2含量极低的高质量淀积薄膜。生成的SiN70KOH溶液中抗腐蚀时间比普通PECVD机生成的膜高一个数量级。这种高质量的SiN膜已被成功地用于要求苛刻的MEMS制造。

l该系统的内腔室壁有加热系统,在淀积过程中产生的粉末明显减少。淀积膜的表面清洁。

l带触摸屏的工控计算机一体化设计,严格的检漏、互锁、报警安全措施。操作简单、一致性和重复性好、可靠性高。

行业应用

lMEMS

l微电子

l光电子

l阳电池

l半导体

l传感器

机器性能

1、均匀性:≤±5%

2、淀积速率:(采用Ar稀释的5%安全浓度SiH4)

SiO2≥30nm/min

SiN≥25nm/min.

3、样片温度:100~350可调;

4气路系统4质量流量计,可定制增减

5、最大样片尺寸:6英寸;

6、射频电源带自动匹配器;

7、分子泵及机械泵抽本底,机械泵、增压泵机组抽淀积膜时的反应气体;

8、工艺过程由带触摸屏的集成工控一体计算机控制。工艺条件可预设定。