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LHQ-200S型异质结太阳能电池(HIT)PECVD设备

系统简介

l特别适合异质结太阳电池(HIT)等非晶硅器件的研发。

l具有平行板电极结构,可进行8英寸薄膜生长。适用于半导体器件和IC制备中的钝化膜的淀积。

l能淀积SiO2,SiN以及本征α-Si和P型与N型掺杂α-Si等薄膜。

l采用带触摸屏的集成工控机自动控制工艺流程,可靠性高,工艺重复性好,经久耐用。

l用户可在工控机上设定和记录多种实验程序和对应的实验结果,操作简单、效率高。

l具有load-lock送片机构,反应室始终不暴露于大气中,非常有利于提高膜的质量和防毒、防爆。

l具有严格的检漏、互锁、报警和强排风等安全措施。

l可用于微电子、光电子、太阳电池、半导体、器件传感器研发、生产。


机器性能

1、可淀积生长SiO2、SiN、本征α-Si、掺杂P型和N型α-Si等薄膜;

2、均匀性:≤±5%;

3、淀积速率:SiO2≥30nm/min;SiN≥25nm/min;

4、可以在200下淀积异质结太阳电池用5~10nm厚度的掺杂和不掺杂非晶硅薄膜。


标准配置

1、阳极氧化铝反应腔室,腔室外壁可加热到130~150

2、载片台(下电极)可放最大样片尺寸:8"圆片或152mm×152mm的方片。样片温度在200~350可调;

3、8路进气,8个数字式质量流量计,可定制增加

4、射频电源,带自动匹配器;

5、分子泵机组抽本底真空,机械干泵抽淀积时的反应气体;

6、工艺过程由带触摸屏的集成工控计算机控制。工艺条件可预设定;

7、load-lock送片机构,确保薄膜质量。严格的捡漏、互锁、报警和强排风等防毒、防爆的安全措施。