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LICP-200D型深硅刻蚀机

系统简介

LICP-200D型深刻蚀机是主要用来进行硅深槽刻蚀或硅片打孔的设备。也可用来刻蚀SiPoly-SiSiO2SiCGeSi3N4WMoTa、石英、光刻胶以及某些有机薄膜的刻蚀。

最大特点是刻蚀速率快,陡直度高和选择比高。因此,可以用它进行Si深槽刻蚀、打孔或Si片背面减薄。

LICP-200D主要用于微电子、MEMS以及光电子等领域。

机器性能

1、 刻蚀均匀性:≤±5%

2、 刻蚀速率:1µm/min(对于SiO2)

2µm/min(对于陡直Si剖面≥87°)

6µm/min(硅片减薄)

标准机型配置

16路进气6个数字流量计,可定制增减。

2具有He背冷和水冷对硅片散热。

3、两组射频电源分别对电感和下电极供电。都带有自动匹配器。

4、分子泵、机械泵抽气系统。

5、数字薄膜真空计测量真空度。

6、工艺过程采用集成工控计算机控制,运行软件为Windows7,含推荐的工艺流程;有严格的检漏、互锁、报警安全措施